مدلسازی پارامتریک سلول عصبی تحت تاثیر میدان مغناطیسی محیطی 50 هرتز سینوسی

نویسندگان

چکیده مقاله:

  زمینه و هدف: رشد تکنولوژی، افزایش میدانهای الکترومغناطیسی کم فرکانس محیطی را به همراه داشته و به تبع، توجه مجامع علمی را به اثرات بیولوژیک این میدانها معطوف کرده است. بیشترین بحث روی خطوط انتقال و توزیع برق با فرکانس 50 هرتز است. هدف این تحقیق نشان دادن اثرات میدانهای مغناطیسی50 هرتز در محدوده شدت محیطی بر روی پارامترهای بیوالکتریک سلول عصبی F1 حلزون باغی ( (Helix aspersa می‌باشد.   روش کار: در این مطالعه از سلول عصبی F1 حلزون باغی جهت شناسایی محل و میزان تاثیر میدانهای مغناطیسی محیطی بر سیستم عصبی مورد استفاده قرار گرفت . گروه کنترل به منظور بررسی تاثیر گذشت زمان و ورود الکترود و پاره شدن غشاء سلول، گروه شاهد به منظور بررسی تاثیر احتمالی عوامل محیطی مداخله‌گر و گروه آزمایش برای شناسایی میزان تاثیر میدان مغناطیسی در نظر گرفته شد. برای تولید میدان مغناطیسی یکنواخت از کویل هلموهلتز استفاده شد. ثبت الکتروفیزیولوژیکی از سلول تحت شرایط کلمپ جریان انجام پذیرفته و جهت نشان دادن تاثیرات ناشی از میدانهای مغناطیسی بر روی کانالهای یونی از مدل سلولی هاجکین-هاکسلی استفاده شد. تمامی داده‌ها با نرم‌افزار SPSS 16 و آزمون آماری ANOVA دوطرفه مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. 05/0 p< به عنوان سطح معنی‌دار در نظر گرفته شده و از محیط نرم‌افزار Matlab جهت اجرای الگوریتم PSO جهت تخمین پارامترها استفاده شد.   یافته‌ها: در بررسی‌های پتانسیلهای عمل ثبت شده درگروههای کنترل و شاهد در بازه‌های زمانی مختلف تغییرات معنی‌داری از نظر آماری مشاهده نشد. با اعمال میدان مغناطیسی 87/45 میکروتسلا در پتانسیل استراحت غشاء تغییرات معنی‌داری 12 دقیقه بعد از اعمال میدان مشاهده شد و بیشترین تغییرات 14 دقیقه بعد از اعمال میدان مشاهده شد. دامنه پتانسیل عمل سدیمی با اعمال میدان، روند کاهشی نشان ‌داد و با افزایش زمان اعمال میدان این تغییرات افزایش نشان ‌داد. در بررسی طول مدت زمان پتانسیل عمل در بازه‌های زمانی مختلف تغییرات معنی‌دار مشاهده نشد، در صورتیکه فرکانس شلیک پتانسیل عمل در بازه‌های زمانی مختلف تغییرات معنی‌داری را نشان داد. بررسی دامنه هیپرپلاریزاسیون متعاقب پتانسیل عمل (AHP) با اعمال میدان مغناطیسی تغییرات افزایشی در جهت منفی نشان داد ولی در بازه‌های زمانی تغییرات معنی‌دار آماری نشان نداد.   نتیجه‌گیری: نتایج حاکی از آن است که میدانهای مغناطیسی فرکانس پایین 50 هرتز در محدوده شدتهای محیطی بطور مستقیم با تغییر در میزان و سرعت باز و بسته شدن کانالهای یونی منجر به تغییر در فعالیتهای بیوالکتریک سلول عصبی می‌شود و میزان رسانایی کانالهای سدیمی و پتاسیمی کاهش و کانالهای پتاسیمی وابسته به کلسیمی افزایش می‌یابد .

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

مدلسازی پارامتریک سلول عصبی تحت تاثیر میدان مغناطیسی محیطی ۵۰ هرتز سینوسی

زمینه و هدف: رشد تکنولوژی، افزایش میدانهای الکترومغناطیسی کم فرکانس محیطی را به همراه داشته و به تبع، توجه مجامع علمی را به اثرات بیولوژیک این میدانها معطوف کرده است. بیشترین بحث روی خطوط انتقال و توزیع برق با فرکانس 50 هرتز است. هدف این تحقیق نشان دادن اثرات میدانهای مغناطیسی50 هرتز در محدوده شدت محیطی بر روی پارامترهای بیوالکتریک سلول عصبی f1 حلزون باغی ( (helix aspersa می باشد.   روش کار: در...

متن کامل

بررسی اثر میدان الکترومغناطیسی 50 هرتز بر القای تمایز در بافت جنینی موش

سابقه و هدف: افزایش روز افزون استفاده از انرژی الکتریکی در جوامع مدرن باعث شده است که مردم به طور بی سابقه‌‌ای در معرض میادین الکترومغناطیسی با فرکانس بسیار کم قرار گیرند. از آنجا که اطلاعات کمی ‌در مورد تاثیرات ‌‌این نوع انرژی بر بافت‌های زنده بدن در دست است، هدف از مطالعه حاضر، مشخص کردن اثرات میدان الکترو مغناطیسی 50 هرتز بر بافت‌های تمایز نیافته جنینی می باشد.مواد و روش‌‌ها: در ‌‌این مطالعه...

متن کامل

بررسی عددی آنتروپی تولیدی جریان نانوسیال در کانال سینوسی عمودی تحت میدان مغناطیسی

در این مطالعه آنتروپی تولیدی ناشی از جابجایی ترکیبی نانوسیال آب- al2o3 در یک کانال عمودی با دیواره های سینوسی تحت میدان مغناطیسی ثابت و یکنواخت به صورت عددی بررسی شده است. در این کار تاثیر پارامترهایی نظیر،کسر حجمی نانوذرات، دامنه ی موج سینوسی، عدد بی بعد رینولدز، عدد بی بعد گراشف و عدد بی بعد هارتمن مورد مطالعه قرار گرفت. این مطالعه با فرض جریان آرام، پایا و غیرقابل تراکم و خواص ترموفیزیکی ثاب...

متن کامل

بررسی و مدلسازی تأثیر شکل میدان مغناطیسی بر فرآیند الکتروریسی

میدان مغناطیسی، منجر به جهت‌گیری ذرات متحرک باردار می‌شود. بر این اساس جهت کنترل مسیر حرکت الیاف در فرآیند الکتروریسی می‌توان از میدان مغناطیسی به‌عنوان یک المان خارجی استفاده کرد. در این مطالعه جهت هدایت و کنترل ناپایداری در سیستم الکتروریسی، از تجهیزات مغناطیسی شامل یک فریم نگه‌دارنده و چند آهنربا استفاده گردید. افزودن تجهیزات مغناطیسی موجب تغییر در مسیر حرکت و مساحت نشست الیاف بر صفحه جمع کن...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


عنوان ژورنال

دوره 13  شماره 2

صفحات  119- 131

تاریخ انتشار 2013-06

با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.

کلمات کلیدی

کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023